集成电路电镀工艺 特点： 体积小，设备布局合理，使 用便捷，技术成熟。 生产单位：中国电子科技集 团公司45所
又称金属有机气相外延 (MOVPE)，它是利用有机 金属热分解进行气相外延生长的先进技术，目前 主要用于化合物半导体薄膜气相生长上。
MOCVD方法是利用运载气携带金属有机物的蒸气进入 反应室，受热分解后沉积到加热的衬底上形成薄膜。它 是制备铁电薄膜的一种湿法工艺。
离子注入 退 扩 火 散 制 氧 电 膜：制作各种材料的薄膜 C V D、P V D
高能粒子撞击硅片表面，造 成晶格损伤，因此为了消除 离子注入造成的损伤和激活 注入的杂质离子，离子注入 后必须要进行热退火。最常 用的是在950℃高温炉中在 氮气保护下，退火15～ 30 分钟。热退火后对杂质分布 将产生影响。
铝互连的优点： 铝在室温下的电 阻率很低，与硅和磷 硅玻璃的附着性很好 ，易于沉积与刻蚀。 由于上述优点，铝成 为集成电路中最早使 用的互连金属材料。
电迁移现象的本质是 导体原子与通过该导体电子 流之间存在相互作用，当一 个铝金属粒子被激发处于晶 体点阵电位分布的谷顶的时 候，它将受到两个方向相反 的作用力： （1）静电作用力， （2）“电子风”作用力，
用热蒸发或电子束、激光束轰击靶材等方式产生气相物质， 在真空中向基片表面沉积形成薄膜的过程称为物理气相沉 积。
可以脱离金属表面的束缚成为蒸汽原子，淀积在晶片上。 利用物质在高温下的蒸发现象，可以制备各种薄膜。
包括低压化学气相沉积LPCVD、 离子增强型气相沉积PECVD、 常压化学气相沉积APCVD、 金属有机物气相沉积MOCVD、
只要是气相沉积，其基本过程都包括三个步骤；提 供气相镀料；镀料向所镀制的工件（或基片）输 送；镀料沉积在基片上构成膜层。
化学气相沉积 CVD 化学气相沉积: 是指一定化学配比的 反应气体，在特定激 活条件下，通过气相 化学反应生成新的膜 层材料沉积到基片上 制取膜层的一种方法。
CVD技术特点： 具有淀积温度低、薄膜 成分和厚度易于控制、 均匀性和重复性好、适 用范围广、设备简单等 一系列优点，CVD方法 几乎可以淀积集成电路 工艺中所需要的各种薄 膜
图形转移：将设计在掩膜版(类似于照相底片)上的图形转移到半导体单晶片上 光 刻 刻：接触光刻、接近光刻、投影光刻、电子束光刻等 蚀：干法刻蚀、湿法刻蚀
所谓的集成电路互 连技术，就是将同 一芯片内各个独立 的元器件通过一定 的方式，连接成具 有一定功能的电路 模块的技术。
电迁移现象 是集成电路制造 中需要努力解决 的一个问题。特 别是当集成度增 加，互连线条变 窄时，这个问题 更为突出。
经过数十年的发展，薄膜 的沉积技术由早期的蒸镀 开始至今，已经发展成为 几个主要的方向： PVD/CVD/ALD。
由单个的原子、 离子、原子团无 规则地入射到基 板表面，经表面 附着、迁徙、凝 结、成核、核生 长等过程而形成 的一薄层固态物 质。
SSFL300/200-11-03-ANL退火炉 用途：用于集成电路芯片制造过程中的退火工艺 特点：先进的温控系统 产量高 占地面积小 颗粒控制好 生产厂家：北京七星华创电子股份有限公司
基本上，集成电路就是由 数层材质不同的薄膜组成， 而使这些薄膜覆盖在硅片 上的技术就是通常所说的 薄膜沉积和薄膜的成长技 术。
定义： 退火也叫热处理，集成电路工艺中 所有的在氮气等不活泼气氛中进行 的热处理过程都可以称为退火 退火工艺的作用： a、激活杂质：使不在晶格位置上 的离子运动到晶格位置，以便具 有电活性，产生自由载流子，起 到杂质的作用 b、消除损伤 退火工序的常用方式： a、炉退火 b、快速退火：脉冲激光法、扫描 电子束、连续波激光、非相干宽 带频光源(如卤光灯、电弧灯、石 墨加热器、红外设备等)
MOCVD系统的组件可大致分为：反应腔、气体控制及混合系统、 反应源及废气处理系统。
3)精确的组分控制； 4)易获得大面积均匀薄膜； 5)可在非平面底上生长、可直接制备图案器件、易 于规模化和商业化。
薄膜的制备方法 真空蒸发 溅射 离子镀 常压CVD、 低压CVD、 金属有机物CVD、 等离子体CVD、
特点：上下双室结构，装片室和溅 射室分隔，高真空状态，不会造成 氧化和靶中毒，提高靶材的利用率， 全自动电脑控制，效率高，产能高。 生产企业：成都南光机器有限公司 使用企业：成都亚光电子股份有限 公司
用途： 在半导体6-8寸晶圆上沉积氧化膜、 氮化硅、多晶硅薄膜。也可以做退火、 磷硼扩散工艺。 特点： 自动化程度极高、工艺稳定。打破国 际技术封锁。
放电形成的离子被强电场加速，轰击靶材，使靶原子逸出 并被溅射到晶片上的技术。
用途： 应用于12寸集成电路制造工 艺中的物理沉积工艺、功率 器件厚铝薄膜的沉积。 特点： 设备扩张性强、应用技术带 广，可实现多种薄膜的沉积。 性价比高。
